En los talones de Intel y Micron reducción de almacenamiento flash a un proceso de 20nm, SanDisk anuncia que han ido aún más pequeños. 19nm
La semana pasada, Intel y Micron anunció que había comenzado el muestreo de almacenamiento flash utilizando un proceso de 20nm nueva, es decir, la memoria de estado sólido ocupa menos espacio y consume menos energía, tanto críticos para dispositivos móviles. Ahora, la memoria y el almacenamiento de desarrolladores de SanDisk, en colaboración con Toshiba dice que han dado un mejor:. Están haciendo memoria flash mediante un proceso de 19nm, que la compañía está promocionando como el nodo de memoria de procesos más avanzados en el mundo
"Estamos muy contentos de presentar el más pequeño del mundo y el más bajo costo-chips NAND flash basado en tecnología de proceso líder en la industria 19nm en nuestra continua colaboración con nuestra fabricación socio de Toshiba," dijo SanDisk vicepresidente ejecutivo y CTO Yoram Cedar, en una declaración. "Los productos basados ??en esta tecnología están diseñadas para permitir nuevas aplicaciones, factores de forma, y ??la experiencia de consumo que seguirá impulsando la industria de flash a nuevas alturas."
Aunque el proceso de 19nm es sólo cinco por ciento menor que el anteriormente -anunció el proceso de 20nm de IM Flash Technologies, los beneficios para la industria son lo mismo: la posibilidad de incluir más de almacenamiento en volúmenes más pequeños, y conducir con menos energía. SanDisk ya está la muestra 64 dispositivos Gigabit (que es de 8 GB), y espera comenzar la producción de alto volumen para los socios en la segunda mitad de 2011. Cuando eso sucede, SanDisk también espera introducir productos X3 productos basados ??en el proceso de 19nm. Productos X3 almacenar tres bits de datos por celda flash en lugar de dos, en la teoría de la adición de capacidad de 50 por ciento más sin aumentar el tamaño
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